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MGSF1N03LT1G中文资料

MGSF1N03LT1G图片

MGSF1N03LT1G外观图

  • 大小:69.3KB
  • 厂家:ON Semiconductor
  • 描述: MOSFET, N, 30V, SOT-23; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:1.6A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):100mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.7V; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-23; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Current Id Max:1.6mA; Package / Case:SOT-23; Power Dissipation Pd:420mW; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:30V; Voltage Vgs Max:1.7V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • 标准包装:3,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:-
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点:逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss):30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:1.6A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:100 毫欧 @ 1.2A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):2.4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:-
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:140pF @ 5V
  • 功率 - 最大:420mW
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236)
  • 包装:带卷 (TR)
  • 其它名称:MGSF1N03LT1GOSMGSF1N03LT1GOS-NDMGSF1N03LT1GOSTR

MGSF1N03LT1G供应商

更新时间:2023-01-27 08:49:21
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